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      IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應管)組成的電壓驅動式高壓大功率電力電子器件,兼有MOSFET高輸入阻抗和雙極器件低導通壓降兩方面的優點。IGBT主要應用于交流電機、電動汽車、變頻器、牽引傳動、風能和太陽能等工業領域,是目前電力電子和綠色能源的主力功率器件。無錫紫光微電子有限公司以IGBT實際應用為設計基礎,使用先進的NPT(非穿通型)和溝槽型FS(場終止型)IGBT技術為大功率應用客戶提供優質可靠的系統解決方案。
    產品特點:

    • 低飽和壓降
    • 低開關損耗
    • 正溫度系數易于并聯

    應用范圍:
    適用于交/直流驅動、不間斷電源、電磁爐、通用逆變器、開關和共振模式電源供給等

    產品BVCE(V)IC(A)VCE(sat)(V)Eoff(mJ)OP temp.(℃)TechnologyPackage
    TGW40N60A600401.90.65-50~150Ternch FSTO-247
    TGV40N60A600401.900.65-50~150Trench FSTo-3PN
    TGW40N120A1200402.02.20-50~150Trench FSTO-247
    TGL40N120A1200402.02.20-50~150Trench FSTO-264

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